对玻璃衬底上低温制备光电性能差的机理

　　对薄膜已进行过许多研究。对玻璃衬底上低温制备薄膜光电性能差的机理往往只是笼统地被解释为薄膜氧化不完全，结构不完整本文中，作者仔细地研究和比较了不同温度条件下薄膜的晶体组织结构以及射线光电子能谱，提出了一种新的论点四氧化三锡的存在是低温条件下制备的薄膜光电性能差的主要原因。实验方法薄膜制备采用直流磁控溅射设备。用含10的的粉末经热等静压烧结的陶瓷靶材，在真空的条件下，通人溅射气体气和加人少量作为补充成分的氧，在清洁的玻璃基片上沉积薄膜。

　　在薄膜厚度均为不同衬底温度条件下，相应试样的方块电阻电阻率和可见光透过率。随着衬底温度的升高而下降，可见光透过率随着衬底温度的升高而增加。整体上方块电阻电阻率和可见光透过率在一之间变化显著，在一之间变化趋于平缓。不同温度生长的薄膜中均以三氧化二锢的立方铁锰矿结构为主，生长的薄膜晶体具有一定的取向性，而下制备薄膜表现出多晶生长特性。

　　只在低温制备的薄膜中有晶体存在，在条件下制备薄薄膜组织结构与光电性能的关系研究膜中没有出现在制备的薄膜中出现了三氧化二锢和晶面衍射峰，与五氧化二锢锡的衍射峰重叠在一起，因图谱中没有其他五氧化二锢锡晶体衍射峰出现，所以可以认为五氧化二锢锡是在与三氧化二锢的相似晶面上择优取向生长，五氧化二锢锡的出现使二氧化锡掺杂几率增大，这有利于提高薄膜的导电性能。衬底温度对薄膜成分影响给出温度制备的薄膜的射线光电子能谱检测结果。